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高介电常数栅介质材料研究动态
引用本文:周晓强,凌惠琴,毛大立,李明.高介电常数栅介质材料研究动态[J].微电子学,2005,35(2):163-168.
作者姓名:周晓强  凌惠琴  毛大立  李明
作者单位:上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200030
基金项目:上海集成电路研发中心"校际资源整合研发基金"资助项目
摘    要:随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料巳不能满足技术发展的需求。为此,应用于下一代MOSFET的高介电常数栅介质材料已成为当今微电子材料的研究热点。文章介绍了高K材料抑制隧穿效应影响的原理及其应当满足的各项性能指标,并对其研究动态和存在的问题进行了阐述,指出了最有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种高K材料。

关 键 词:MOSFET  微电子材料  高介电常数  栅极电介质  伪二元合金
文章编号:1004-3365(2005)02-0163-06

Development Trend of High Dielectric Constant Materials
ZHOU Xiao-qiang,LING Hui-qin,MAO Da-li,LI Ming.Development Trend of High Dielectric Constant Materials[J].Microelectronics,2005,35(2):163-168.
Authors:ZHOU Xiao-qiang  LING Hui-qin  MAO Da-li  LI Ming
Abstract:
Keywords:MOSFET  Microelectronic material  High-k  Gate dielectrics  Pseudo-binary alloy
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